什么是 CAMM2？

CAMM2 的全称是 Compression Attached Memory Module 2，是由 JEDEC (固态技术协会) 正式采纳并发布的新一代内存模组标准（标准代号为 JESD318），于 2023 年 12 月发布。它旨在取代已在笔记本电脑和小型 PC 中使用了超过 25 年的 SO-DIMM 标准。

CAMM2 的主要特点和优势：

1. 更薄、更节省空间：CAMM2 模组的设计非常纤薄，它平贴在主板上，而不是像 SO-DIMM 那样倾斜插入。与 SO-DIMM 相比，它可以节省高达 57% 的厚度和显著的主板面积，这对于制造更轻薄的笔记本电脑至关重要。

2. 实现 LPDDR 内存的模组化：这是 CAMM2 最大的突破之一。传统上，LPDDR (低功耗内存) 因其信号要求，几乎总是直接焊接在主板上，导致用户无法升级。CAMM2 标准（特别是 LPDDR5/5X CAMM2）首次实现了低功耗内存的可插拔和可更换，兼顾了 LPDDR 的低功耗和高性能，以及模组化升级的灵活性。

3. 更高的性能和带宽：由于模组直接平贴在主板上，内存颗粒与 CPU 之间的信号路径更短、更直接。这减少了信号干扰，使其能够支持比 SO-DIMM 更高的内存频率和数据速率。

4. 支持双通道：单个 CAMM2 模组就可以支持双通道内存配置。而在 SO-DIMM 时代，实现双通道通常需要安装两条内存条。这简化了主板设计，并能在有限空间内提供更高的数据吞吐量。

5. 两种版本：JESD318 标准定义了两种 CAMM2：

   • DDR5 CAMM2: 针对需要高性能的主流笔记本和台式机。

   • LPDDR5/5X CAMM2: 针对需要极致轻薄和低功耗的笔记本电脑。 这两种模组的引脚定义不同，不能混用，以确保系统安全。

SODIMM vs CAMM2

引脚设计

传统 SODIMM 金手指接触设计暴露在环境中，会导致 SODIMM 氧化。

新 CAMM2  压缩触点引脚设计平直且短，并封装在一个圆柱体内。

CAMM PCB 阻挡圆柱体顶部 (模组)，主板 PCB 阻挡圆柱体底部 。

新的 CAMM2 压缩触点设计：

• 在环境保护方面的巨大改进

• 从根本上降低 EMC

• 隐藏式触点尖端，大大降低损坏风险

• 成熟的连接器技术和引脚间距，可多源供应。

CAMM2 设计有望消除内存重插的需求。 

CAMM 近观

Dell 原始 CAMM 版本

• 616 个引脚

• 73.90 x 14.65 x 2.87 mm

• 两个安装孔
  

JEDEC CXXX 版本

• 644 个引脚，无接地屏蔽

• 78.00 x 17.00 x 1.00 mm

• 主要用于 LPDDR5 CAMM

JEDEC CAMM2 版本

• 356 个引脚 + 112 个接地屏蔽 (结构 A)

• 78.00 x 17.00 x 2.87 mm

• 3 个用于 DDR5 的安装孔

• 3 个用于 LPDDR5 的安装孔

DDR5 外形规格

LPDDR5 外形规格

 

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Layout 要求

DDR5 Pinout

LPDDR5 Pinout

单通道 VS 双通道

主板 PCB CAMM 安装

层叠

多种因素影响模块堆叠结构的定义，模块供应商会与 PCB 供应商一起，根据材料特性、材料可用性、电气性能和成本等多种因素来定义其堆叠结构。

DDR5 CAMM2 14 层层叠：

DDR5 CAMM2 16 层层叠：

DDR5 及 LPDDR5 CAMM2 10 层层叠：

DDR5  CAMM2 12 层层叠：

模块拓扑结构

16GB 双通道，32GB 双通道及LPDDR5

16GB DC：8颗 DRAM 顶层和底层各4颗

32GB DC:16颗 DRAM 顶层12颗，底层4颗

LPDDR5：顶层4颗DRAM

64GB 双通道及 64GB 单通道

线长匹配（Length Matching）

CAMM2  DDR5 线长匹配规范：

# 长度匹配组 CAMM2 限制 (mm) 1 CA/CS 匹配到从连接器到第一个DRAM的CLK -16 < (CLK_t - (CMD/CA/CS)) < +10 2 字节内的 DM, DQ 和 DQS -0.025 < (DQ - DQS_t) < +0.025 3 DQS 和 DQS# < +0.0625 4 CLK_t 和 CLK_c < +0.0625 5 CLK0 和 CLK1/CLK2 和 CLK3 < +0.3 6 CS 和 CLK (见注1) -0.0025 < (CLK_t - CS) < +0.0025 7 每个通道内的所有 CS < +0.0125 8 CA 和 CLK (见注1) -1.2 < (CLK_t - CMD) < +1.2 9 每个通道内的所有 CA < +0.125   注1：不包括从连接器到第一个DRAM的初始长度。当DRAM在同一子通道内镜像时，由于DRAM引脚排列，规则8和9可能难以满足，除非进行过多的蛇形走线。这些设计可能会有偏差，并在原始文档中进行解释。

16GB 双通道：

32GB 双通道：

与 SoDIMM 不同，CAMM2 引脚不是线性的。因此，需要额外的调谐来匹配连接到路径下游 1-5 毫米的走线。

如果这些走线在模块侧反向遇到相同数量的额外长度，那么增加的长度将是必要的两倍。

信号完整性

• 间距
• 线长匹配
• 走线宽度
• 接地屏蔽
• 接地过孔
• 沟槽（MOATS）

消除串扰的关键部分。这些 DDR5 规则未作为标准记录。

走线最小间距建议：

• 时钟-时钟 => .25 mm

• CA 到 CA => .15 mm

• DQ 到 DQ => .18 mm

• 字节到字节 => .3 mm

• WCK 到 DQ => .375 mm

• WCK 到 DQS => .375 mm

• 子通道到子通道 => .5 mm

间距越大越好！

最小化走线平行的区域。即使是很小的中断也有助于减少串扰。

走线宽度（Trace Width）

走线宽度对于匹配目标阻抗非常重要。实际宽度取决于电路板层叠结构。

DDR5 目标是：

• DQ/CA/CS => 40 Ohm

• DQS => 75 Ohm

• 时钟 =>

  • 主板上 75 Ohm

  • 模块上从 CAMM 到时钟驱动器 75 Ohm

  • 模块上从时钟驱动器到 DRAM 45 Ohm

LPDDR5:

•  DQ/CA/CS => 40 Ohm

• DQS/CLK => 75 Ohm

• WCK => 65 Ohm

接地屏蔽（Ground Shielding）

• 接地屏蔽对高速线路非常重要。

• 每条高速线路的上方和下方都应有接地平面。

• 相邻接地平面应至少覆盖高速线路一个走线宽度。

• 在紧密走线之间有少量接地平面可以显著减少串扰。

接地过孔（Ground Vias）

• 尽可能将接地过孔放置在所有信号缝合过孔附近，尽可能一对一。

• 策略性放置的接地过孔可以将信号的串扰降低多达 15 mV

• 所有差分对周围以及层变化处都需要接地过孔。

沟槽（Moats）

• 沟槽是围绕高速线路的参考平面中的任何断裂。

• 打开所有参考平面以突出显示可能的沟槽非常重要。

• 走线绝不能进入过孔周围的间隙，特别是当它们合并到一个空隙中时。

• 需要在高速线路周围的上下层设置接地参考平面，确保包围每个走线段。

一个字节的仿真结果

总结（Lessons Learned）

• 对不同设计阶段中的不断变化持开放态度。

• 没有什么是固定不变的，始终考虑所有的布局和连接选项。

• 在开始布线之前输入您的层叠约束，即使是初步的。

• 在调线长之前，利用可用的 DRAM 交换引脚选项来缩短走线长度。

• 记住永远不要在 nibble（半字节） 之外交换 DDR5 引脚。

• 使您的连接尽可能短。

• 在调线长之前，始终添加 SoC 封装长度并打开 Z 轴。

• 首先调时钟的长度。

• 不要忘记您的接地过孔，因为它们以后很难添加。

• 在表层高速走线之间添加接地参考平面和屏蔽。

• 远离沟槽，以避免串扰。

• 质疑规范和规则是可以的。

• 最重要的是永不放弃！